Remote Plasma ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요?
2012.02.25 11:04
ICP dry etch 장비에 대해 이제막 공부를 시작하고 있는데요..
RF Power로 부터 가해지는 전자기파가 도체 내를 통과할 수 있는 깊이가 skin depth라고 알고 있는데
그렇다면 skin depth가 클수록 전자기파가 플라즈마에 영향을 주어 플라즈마 밀도도 높아져서
etch rate 측면에서 볼 때 좋아진다고 생각이 되는데... 이런 메카니즘으로 이해하는것이 맞는 건지요..?
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73031 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17616 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55516 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65696 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86027 |
| 16 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 93469 |
| 15 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24735 |
| » | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 23428 |
| 13 | surface wave plasma 에 대해서 [1] | 18316 |
| 12 | In-flight plasma process | 15424 |
| 11 | remote plasma 데미지 질문 [1] | 12718 |
| 10 | Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] | 10039 |
| 9 | RPSC 관련 질문입니다. [2] | 3267 |
| 8 | RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] | 1944 |
| 7 | Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] | 1495 |
| 6 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 1489 |
| 5 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 907 |
| 4 | RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] | 593 |
| 3 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 444 |
| 2 |
RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계
[1]  | 298 |
| 1 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 125 |