모 반도체 회사 CVD 기술팀의 엔지니어입니다.

 RPS를 사용한 CLEAN을 DEPOSITION 이후 진행하는데 관련 특이 사항이 있습니다.

 오염원을 없애줘야할 CLEAN GAS가 반응의 매개체가 되어 오염을 일으키는 경우가 있다고 말하고 있는 사례가 있습니다. CLEAN GAS가 없을경우에는 오염이 안되다가 RPS ON하고 CLEAN이 들어가면 CHAMBER 쪽은 아닌데 특정부위에 오염이 생기는 형태입니다. 오염원의 성분분석 결과도 F성분이 많아서 유일한 공급원인 CLEAN이 오염을 유발한다는 현재까지의 상황입니다.

 물론, 그간 테스트에서도 분명 맹점이 존재할 수 있다는것은 염두해두고 있지만 저 또한 CLEAN GAS가 오염에 크게 관여한다는것까지는 받아들이고 있습니다. 온도, 압력 조건등이 보통의 경우라면 현재까지 F RADICAL로써 오염을 만드는 것에 대해서 알려진 것이 있을까요? 혹은 좀 다르게 오염의 직접적 매개체가 아니고서 오염이 된 이후에 단순히 추가 F가 달라 붙는 방식일 수는 없을까요? 기계쪽 전공자인데 플라스마 반응에 대해서 상당히 해석에 어려움이 많고, 지금 해당 문제에 대해서 시뮬레이션도 진행중인데 CLEAN GAS가 오히려 많이 들어가는 쪽이 또 실제 오염이 적은편인 것으로 나타나고 있어서 원래의 기능처럼 CLEAN GAS가 CLEAN을 못해준것이 오염원을 제거 못해서 발생하는 일인지 혼란이 있습니다. 다소 이곳의 일반적 질문과 다른 내용을 질문하는점에 대해서 양해말씀 드립니다.

 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76949
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20313
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57237
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68786
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92777
20 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 71
19 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 83
18 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 638
» 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 452
16 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1208
15 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1194
14 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1229
13 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2408
12 remote plasma 데미지 질문 [1] 14489
11 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2039
10 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1051
9 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] 762
8 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1975
7 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4064
6 Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] 10382
5 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24370
4 surface wave plasma 에 대해서 [1] 18553
3 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24992
2 RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 95782
1 In-flight plasma process 15507

Boards


XE Login