안녕하세요, 반도체 장비사에서 근무중입니다.

 

한가지 의문이 생겨 질문을 드립니다.

 

RPSC를 이용하여 SiO의 선택적 식각에 대한 질문입니다.

 

http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=62374

 

상기 내용을 보면, NH3,NF3의 gas가 해리 결합되어 F,NH4F 등의 Gas를 만들고 이 Gas들이 기판에 증착이 되는데

SiO의 바인딩 에너지가 111kcal mol, sif의 바인딩 에너지가 136kcal mol이기에 SiO와의 결합을 끊고, NH4)2SiF6의 필름을 형성, 100도씨에서 승화된다고 공부하였습니다.

 

여기서 제가 궁금한것은, Si도 F에 의해 Etching이 되기도 하고, Si Wafer의 결합에너지도 SiF보다 낮을텐데,  어떻게 SiO만 선택적으로 깎아내는것인지 궁금합니다. 

Si도 물론 깎여나가긴 하겠지만, SiO가 상대적으로 필름 형성이 더 잘되서 많이 깎여나가는 것인가요?

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77261
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20473
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57383
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68910
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92960
21 RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 95864
20 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24997
19 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] 24430
18 surface wave plasma 에 대해서 [1] 18564
17 In-flight plasma process 15512
16 remote plasma 데미지 질문 [1] 14504
15 Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] 10405
14 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4096
13 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2433
12 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2066
11 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1996
10 Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] 1271
9 PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] 1242
8 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 1220
7 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1059
6 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] 769
5 Remote plasma source의 주파수 400kHz 이유 [1] 762
4 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 467
» Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 131
2 Showerhead와 Heater간 간격에 따른 RPC 효율성 [1] 125

Boards


XE Login