안녕하세요

반도체 설비 제조 업체 연구소에 근무 하는 하태경 이라고 합니다.

Plasma 진단 에 관련한 질문 있어 글을 씁니다.


저희 회사는 remote plasma를 사용하는 반도체 ashing 설비를 생산 하고 있습니다.

Plasma source는 ICP type 입니다. matcher에 VI sensor가 장착 되여 있습니다. matcher와 source 사이에 VI sensor가 위치합니다.

plasma source - baffle - process chamber 구조로 source에서 생성되는 radical의 down stream 으로 ashing를 진행 합니다.

chuck은 히팅외에는 다른 역할를 하지 않습니다.


여기서 질문은 VI sensor를 활용하여 어떠한 진단을 할 수 있는지가 궁금합니다.

현재 monitroing 해본 것으로는, end point를 보려 했지만 값이 변화하지 않습니다.. 케미스트리 변화에는 값이 변화 합니다.

VI sensor로 진단 가능한 부분이나 사례등이 있으시면 무엇이라도 좋습니다 답변 부탁 드립니다.

예로 PM 주기 monitoring 등도 좋은 아이템이 될것 같습니다.

감사합니다


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [285] 77291
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20487
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57407
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68937
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92986
23 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3351
» VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2921
21 Wafer particle 성분 분석 [1] 2353
20 [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] 2155
19 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1988
18 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1883
17 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1712
16 charge effect에 대해 [2] 1517
15 Plasma 발생영역에 관한 질문 [2] 1466
14 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 1450
13 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] 1380
12 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1351
11 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1328
10 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1113
9 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1081
8 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1030
7 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] 810
6 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] 760
5 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] 725
4 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 632

Boards


XE Login