안녕하십니까, 식각공정 장비 담당하는 회사원입니다. 

장비에서 올라오는 신호로 Plasma에 대해 해석을 하는 경우가 있는지 알고싶습니다.

양산라인에서 쓸만한 Monitoring Method에 대해서도 알고싶습니다.

 

제 주 업무는 장비에서 올라오는 신호들을 분석하는 것인데요,

(저희 부서에서는 일본계 회사 제품을 사용하고있습니다.)

 

업무를 하다보면 제품 온도 변화 혹은 내부 상태의 변화에 따라 불량이 발생하는 경우가 자주 있습니다.

아쉬운 점은 이걸 장비 신호로 플라즈마의 공정상 영향을 미치는 정보들이 해석이 안되는 경우가 많습니다.

(특정 구간에서 불량이 검출되었으나 Trend 상으로 전혀 문제가 없어 보이는)

 

센서 심화를 더 시켜야 하는것인지 고민될때가 많습니다.(H/W적인 변경점을 주는것은 상당히 어렵습니다만)

연구실에서 사용하는 방법론들에 대해 알려주시면 많은 도움이 될 것 같습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [339] 233335
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 68919
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 106053
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 118256
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 200597
25 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [ONO 공정 중 질화막 모니터링] [2] 6289
24 VI sensor를 활용한 진단 방법 [Monitoring과 target] [2] 5738
» [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [OES, VI 신호 및 가상계측 인자] [2] 5137
22 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [Intensity 넓이 계산] [1] 5066
21 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [Plasma spectroscopy] [1] 5004
20 Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [전자 소실 및 플라즈마 전위] [3] 4925
19 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [군산대학교 주정훈 교수님] [1] 4680
18 OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [수소, Ar 단원자 진단] [1] 4656
17 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [Excitation transfer 반응과 방사천이율] [1] 4575
16 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [OES와 atomic spectroscopy] [1] 4544
15 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [전자전류의 해석] [1] 4489
14 Wafer particle 성분 분석 [플라즈마 세정] [1] 4320
13 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [데이터+플라즈마광학 모델] [1] 4277
12 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [Langmuir probe와 ground] [1] file 4247
11 OES를 통한 공정 개선사례가 있는지 궁금합니다. [플라즈마의 분포와 공정 진단] [1] 4225
10 CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [핵융합 연구소 자료] [1] 4127
9 OES를 통한 Radical 생성량 트렌드 파악 [1] 4119
8 고전압 방전 전기장 내 측정 [전극과 탐침과의 간격] [1] file 4106
7 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [SiC 식각과 Ring 교체 주기 및 모니터링 방법] [1] 4051
6 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [B-dot probe, plasma diagnostics] [1] 3934

Boards


XE Login