OES ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [SiC 식각과 Ring 교체 주기 및 모니터링 방법]
2023.04.11 22:52
안녕하세요. Etch 공정엔지니어 입니다.
최근 SiC ring을 사용하는 장비에서 edge 부분에 몰림성 deffect이 떠서 장비적으로, 공정적으로 개선 중입니다.
그 중 ISD관령하여 질문이 있습니다
OES 파형 기반으로 RCP를 만드는 중인데 대략적인 RCP는 O2 Plasma > Nf3 plasma > O2 plasma입니다.
OES파형에서 보면
첫번째 O2 BURN에서 carbon polymer, Si polymer가 줄어드는 것을 관찰 할 수 있는데요.
두번째 NF3 Plasma를 키면 잔여 si ploymer가 점차 줄어들며 파형의 세기가 saturation 되는 것을 볼 수 있었습니다. 그런데 Carbon polymer가 etch 되면서 나오는 파형 중 하나인 CF, Cf2는 우 상향으로 byproduct가 줄어드는 모양이 아니더라구요. 혹시 SiC ring의 식각으로 인해 cf파형이 늘어날 수도 있을ㅋ가요?
추가로 CN 파형은 줄어들더라구요..CF파형이 양의 기울기로 늘어난다는게 part 중 하나가 식각되는게 아니면 이해가 가질 않습니다
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SiC 식각 관련 자료를 찾아 보시면 좋을 것 같고요, 이 참에 Ring 교체 주기 및 모니터링 방법도 같이 생각해 보시면 좋은 것 같습니다.