ESC ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다.
2020.10.16 19:25
교수님, 안녕하세요.
반도체 회사에서 공정 개발을 하는 연구원입니다.
교수님께 ESC Chuck 의 활용(?) 에 관한 질문을 드리고자 글 남기게 되었습니다.
현재 ICP Coil 을 이용하여 reactant gas 를 radical 로 만들어서 wafer 위에서 반응을 유도하고 있습니다.
하지만, 현재 chamber 조건이 공정상 몇 가지 단점을 갖고 있어 이를 개선하려는 업무를 진행 중 의문이 생겼습니다.
개선을 위한 condition (온도, 압력) 에서는 화학흡착 즉, chemisorpsion 이 되지 않는 결과를 확인하였습니다.
(온도, 압력만 변화. 관련 논문도 확인)
이를 극복하는 방안으로, ESC Chuck 을 사용하여, radical 을 강하게 wafer 로 끌어오면 어떨가 하는데,
가장 큰 고민이, boosted radical 이 wafer 에서 물리적 가속외에 화학적 흡착에도 영향을 줄 수 있다는 근거를 찾기가 어렵습니다.
혹, 교수님께서 관련해서 조언해주실 수 있으시면 업무에 큰 도움이 될 것 같습니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76905 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20295 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57214 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68765 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92725 |
103 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22261 |
102 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 21202 |
101 | 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [1] | 21115 |
100 | CCP형, 진공챔버 내에서의 플라즈마... [1] | 20398 |
99 | 플라즈마 matching | 20268 |
98 | 석영이 사용되는 이유? [1] | 20041 |
97 | [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] | 19845 |
96 | CCP/ICP에서 자석의 역활에 대하여 | 19354 |
95 | MFC | 19334 |
94 | scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] | 19222 |
93 | 최적의 펌프는? | 18547 |
92 | Faraday shielding & Screening effect | 18360 |
91 | electrode gap | 17958 |
90 | Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. | 17348 |
89 | ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. | 16962 |
88 | Virtual Matchng | 16856 |
87 | ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] | 14855 |
86 | 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. | 13207 |
85 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12813 |
84 | matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] | 10473 |