진공상태에서 ESC 표면의 온도가 모두 같지는 않기 때문에 Inner랑 outer에서 조금의 온도 차이가 있을 텐데

 

이러한 온도 차이 때문에 wafer에서의 식각률의 차이가 어떤 이유로 있는건지 알 수 있을까요??

온도별로 영역별 식각정도가 다를 경우가 있는데 어떤 이유가 있을지 궁금해서요

 

도움 부탁드립니다! 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77227
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68903
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92951
106 Plasma Arching [1] 1096
105 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1370
104 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 911
103 RF 파워서플라이 매칭 문제 843
102 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1025
101 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1599
100 RF matcher와 particle 관계 [2] 3036
99 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1298
98 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1573
» ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 2158
96 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14912
95 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1481
94 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1465
93 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1933
92 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2390
91 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2436
90 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3696
89 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1151
88 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2478
87 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 597

Boards


XE Login