ESC CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요

2017.09.21 20:04

평택말붕이 조회 수:1871

반도체 종사하고 직장인 입니다

상기건으로 네이버 백방으로 검색하다가  우연찬게 가입을하고

약 4시간 가량 정말좋은 자료들 시간가는 줄 모르고 보게 되었습니다

저희 회사 UBM Etch 장비가 process 상 변경된 factor 는 없구요

최근 챔버 웨이퍼 RF Chuck 바로 밑에 Al plate 원판을 신규 가공품을 사용했구요

용도는 플라즈마를 가둬두는 용도 정도로 알고있고요

현상이 이전까지는 웨이퍼 바이어스 전압이 -180~-200V 의 컨디션 이였는데

최근 바이어스 전압 형성이 -110~-130v현저히 떨어졌습니다

공정은 CCP 500w ICP400w Ar 45sccm 입니다

현재 문제 focus 를 Al plate 로 보고있는데요

바이어스 전압이 기존대비 떨어질수있는 원인이

웨이퍼와 직접적 contact 되어지는 RF Chuck 의 문제인지

챔버 오염과도 영향성은 있는거 같고요....

순간 컨디션이 변경되어 참 난감한 상황입니다

테스트를 ICP Power 를 낮추어주면 바이어스값은 증가가 되구요

웨이퍼표면의 전자량이 동일조건 기존대비 줄어들수 있는 인자가 궁금합니다



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