안녕하세요~

반도체 회사에 근무하는 엔지니어 입니다.

ICP Type의 장비를 다루는데 RF source가 Top(1.8MHz)/Side(2.0MHz)/Bias(13.56MHz)로 구성되어 있고,

Ar gas로 50mTorr의 압력으로 상승 시킨후에 Top RF부터 인가하게 됩니다. (Top의 Antenna 권선수 n= 4 , Side=2)

궁금한 점은 Top을 plasma ignition시 잘 켜지는데, Side부터 인가하게 되면 reflection이 input값만큼 뜨면서 ignition fault가 발생합니다.

TOP이 권선수가 많아 전자의 속도가 더 빨라서 그런것인가요??

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77204
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20464
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57360
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92945
46 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7339
45 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7676
44 RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [4] 8670
43 Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. 8807
» ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] 9910
41 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 10048
40 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10569
39 반응기의 면적에 대한 질문 12817
38 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. 13212
37 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14909
36 Virtual Matchng 16860
35 ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. file 16974
34 Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. 17365
33 electrode gap 17968
32 Faraday shielding & Screening effect 18371
31 최적의 펌프는? 18554
30 scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] 19232
29 MFC 19339
28 CCP/ICP에서 자석의 역활에 대하여 19362
27 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] 19849

Boards


XE Login