안녕하세요 반도체 회사에 다니고있는 구성원입니다.

에칭장비를 담당하는데, 챔버 pm후 RF가 세팅값까지 안올라오는 경우

오토매칭을 사용하지 않고, 매쳐의 LOAD,TUNE값을 조절해서 RF POWER를 원하는 값으로 맞추는데요

원리를 모르고 하다보니, 시간이 오래걸리고, 조절하다보면 FORWARD값은 맞춰지지만 REFLECT값도 함께 올라가서

애를먹는 경우가 있습니다

매쳐에서 LOAD, TUNE의 역할은 무엇인가요??? 또한 원하는 FORWARD/REFLECT값을 얻기위해 LOAD/TUNE 조절을 쉽게 할 수 있는 방법이 있을까요?

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77298
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20495
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57412
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68942
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92988
47 ETCH 관련 RF MATCHING 중 REF 현상에 대한 질문입니다. [1] 7146
46 RF Generator와 Impedance 관련 질문있습니다 [2] 7369
45 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7685
44 RF Power reflect 관련 문의 드립니다. [4] 8694
43 Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. 8840
42 ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] 9919
41 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] 10052
» matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 10629
39 반응기의 면적에 대한 질문 12819
38 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. 13215
37 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14927
36 Virtual Matchng 16860
35 ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. file 16982
34 Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. 17368
33 electrode gap 17971
32 Faraday shielding & Screening effect 18375
31 최적의 펌프는? 18555
30 scattering cross-section, rf grounding에 관한 질문입니다. [2] 19236
29 MFC 19339
28 CCP/ICP에서 자석의 역활에 대하여 19363

Boards


XE Login