진공상태에서 ESC 표면의 온도가 모두 같지는 않기 때문에 Inner랑 outer에서 조금의 온도 차이가 있을 텐데

 

이러한 온도 차이 때문에 wafer에서의 식각률의 차이가 어떤 이유로 있는건지 알 수 있을까요??

온도별로 영역별 식각정도가 다를 경우가 있는데 어떤 이유가 있을지 궁금해서요

 

도움 부탁드립니다! 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] 74881
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18735
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56223
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66684
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 87991
90 알고싶습니다 [1] 1005
89 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 1063
88 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1115
87 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1130
86 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 1135
85 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1206
84 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1269
83 MATCHER 발열 문제 [3] 1292
82 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1305
81 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1319
» ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1325
79 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1355
78 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1441
77 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1547
76 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1731
75 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1741
74 RF matcher와 particle 관계 [2] 1755
73 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1839
72 chamber impedance [1] 1840
71 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1860

Boards


XE Login