안녕하세요 반도체 관련 현직자 입니다.

ESC Dechuck과 관련해서 Bipolar, Coulombic ESC에서 Back면이 Polished 된 Wafer로 SEA 진행할 경우

Discharge가 제대로 되지 않아 Dechuck을 하지 못하는 Error가 다발하는 경우가 있었는데

Back 면이 Polished 되지 않은, 즉 back면이 Rough한 Wafer로 SEA을 진행하니 Dechuck이 안되던 Error가 말끔히 사라졌습니다.

구글링을 해서 겨우겨우 관련 논문을 찾아서 보다보니

ESC의 MESA부분은 Wafer가 닿게되고 MESA가 없는부분은 Wafer가 닿지 않을텐데

이렇게 MEASA에 닿는부분이 F(contact)이고 닿지 않는부분을 F(Non-Contact)이라고 할때

F(remain) = F(Contact) + F(Non-contact) 이더라구요....

그래서 Non-Contact을 줄이긴 힘들거같고.... 결국은 Non Polished Wafer를 사용하게되면 MESA랑 닿게되는 면적이 줄어들어서

F(Contact)이 작아지게되고 결국 Remain Force가 작아져서 Dechuck이 더 잘되는 mechanism이 맞을까요...??

Chuck, Dechuck System에 대해서 전문적인 지식이 부족하여 관련 지식을 나눠주시면 정말 감사하겠습니다.