안녕하세요, 반도체 장비 회사에서 PECVD(TICL4 + H2 를 이용한 TI)설비를 개발하고 있는 엔지닝어입니다. 여기문의하는 것이 맞는 것인지 모르겠지만 일단 여쭤보겠습니다.


최근 고객사 측에서 PM 초기 TI 막질의 두께가 낮고 THK range 가 크다는 VOC 가 있어서 개선 방안을 고민하던 중에 precoat recipe 를 변경하는 test 를 진행하고 있습니다.  wafer 위에 depo 하는 recipe 는 그대로 두고 PM 후 CH 내부에 precoat 할 때 사용하는 recipe 만 변경하는 test 입니다.


변경 내용은 stage heater 와 showerhead 간 gap 을 변화시키는 것인데요, 기존 13.5mm 에서 11mm 로 gap 을 줄이니 thk range 가 감소하고 avg thk 가 높아지는 결과를 확인했습니다.


여기서 질문드립니다. depo recipe 도 아닌 precoat recipe 의 showerhead <-> heater gap 을 줄였는데 왜 막질의 두께와 산포가 바뀌는 것일까요?

rough 하게나마 가설을 세워보면 .....


 gap 을 줄임(1)

=> plasma 가 뜨는 공간의 부피가 감소했고(plasma 밀도는 증가?) (2)

=> heater 위에 precoating 되는 TI 막질 변화 (3)

=> wafer 가 depo 될 때 받는 heat 산포가 uniform 한 방향으로 바뀜 (4)

=> wafer 위에 depo 되는 막질의 thk avg, thk range 가 바뀜 (5)


이정도인데요, 어떻게 생각하시는지 궁금합니다.


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