ESC Si Wafer Broken

2018.08.01 11:16

장영구 조회 수:2113

안녕하세요. 반도체회사에 다니고 있습니다.

Plasma와 연관성이 없을 수 있는 질문인데요..

Si Wafer가 ESC Chucking  Voltage의 Damage(??)에 의해 Edge Broken이 발생할 수 있는지 궁금합니다. (2500v)

ESC를 사용하다가 1년 이상되면 Broken이 발생하고, Broken 주기는 점점 빨라집니다.

ESC의 오랜 사용에 의한 노화 현상은 맞는거 같은데 어떤 영향성으로 발생하는지 궁금해서요...(ESC 교체시 정상되네요)

Plasma On/Off와는 연관성이 없었습니다.



이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [179] 74885
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18736
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56224
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66687
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88014
50 임피던스 매칭회로 [1] file 2433
49 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2423
48 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2323
47 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 2303
46 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2188
45 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2182
» Si Wafer Broken [2] 2113
43 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1990
42 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 1949
41 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 1889
40 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1861
39 chamber impedance [1] 1840
38 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1839
37 RF matcher와 particle 관계 [2] 1761
36 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1741
35 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1731
34 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1548
33 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1441
32 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1355
31 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1325
쓰기
태그

Boards

XE Login