Others RPC ClEAN시 THD 발생 [RF shield와 ground의 강화]

2018.10.25 14:48

야키소바빵 조회 수:906

안녕하세요 반도체 장비업체에서 일하고 있는 사람입니다.

현재 저희 설비에 2개의 CHAMBER가 달려 있습니다. RPC CLEAN을 사용하는 장비인데

두 CH가 동시에 CLEAN이 동작하게되면 공급단 POWER 관련하여 지속적인 ERROR 가 발생을 합니다.(따로 진행시 문제 없음)

고조파 측정시 2개의 CH가 동시에 CLEAN 진행시 높아지는 현상을 발견 하였으나, 그 원인을 찾기 힘들어 질문 드립니다.

POWER CABLING이 의심 되는 상황이나, CABLE 길이 및 위치, 혹은 말림 정도가 영향이 있는지 문의 드리고, 혹시 이 외에 다른 원인을 추측할만한 내용이 있을지 질문 드립니다.

현재 CABLE 연결 상태 및 POWER SUPPLY(설비단) 교체 등 다른 방법을 진행 해 보았으나, 현상이 동일하게 발생하여 설비단 보다는  공급단쪽 POWER를 의심하고 있는 상태 입니다.

 

혹시 이 글과 관련된 경험이 있으신분은 답변 부탁 드리겠습니다.

감사합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [335] 103728
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24747
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61608
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73559
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 106068
33 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다. [VI Phase] [1] 1319
32 고진공 만드는방법. [System material과 design] [1] 1285
31 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [오존발생기] [1] 1240
30 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [RF 전원과 matcher] [2] 1195
29 연면거리에 대해 궁금합니다. [아크 제어] [1] 1169
28 경전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 1105
27 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [RF plasma와 circuit model] [1] 1103
26 RF 파워서플라이 매칭 문제 1024
25 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [Plasma heating] [1] 950
» RPC ClEAN시 THD 발생 [RF shield와 ground의 강화] [1] 906
23 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [전자 가열 방법 및 생산성에 따른 구별] [1] 888
22 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [플라즈마 회로 설계] [2] 857
21 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의 드립니다. [플라즈마 분포와 확산] [1] 833
20 ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다 [1] 806
19 CCP Chamber 사용 중 Impedance 변화 원인 문의드립니다. [Chamber impedance 변화] [1] 771
18 Bias인가 Cable 위치 관련 문의 [플라즈마 분포 관찰] [1] 755
17 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 734
16 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 724
15 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산] [1] 722
14 CURRENT PATH로 인한 아킹 [RF 접지 면접촉 개선] [1] file 696
쓰기
태그

Boards

XE Login