안녕하세요. CCP TYPE의 Chamber에 관한 문의점이 있습니다.

 

CCP 방식의 Chamber에서 HF를 이용하여 Plasma를 생성할여 Deposition을 진행하는 공정의 경우 Wafer가 안착되는 Plate의 온도가 Shower Head 보다 일반적으로 높은 조건을 사용하게 됩니다.

이때 HF의 주파수를 기존의 2배로 변경하게되면 Plasma의 밀도가 증가할 것으로 생각되며 다양한 변화가 발생할 것으로 생각됩니다.

그럼 온도 측면에서 Shower Head에 열전달 변화가 발생할까요?

저압에서 진행하는 공정 특성상 Plasma 온도변화가 Shower Head에 미치는 영향은 미비할것으로 생각되는데 주파수 변화와 Plasma 온도와 관련된 논문을 찾을 수 없어서 문의드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77189
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20457
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57356
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68897
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92938
26 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] 866
25 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 861
24 RF 파워서플라이 매칭 문제 843
23 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 824
22 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 754
21 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 667
» 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 653
19 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 650
18 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [2] 611
17 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 595
16 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 566
15 Bais 인가 Cable 위치 관련 문의 [1] 554
14 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [1] 546
13 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [2] 449
12 CURRENT PATH로 인한 아킹 [1] file 421
11 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 385
10 chamber에 인가 되는 forward power 관련 문의 [1] 380
9 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [2] 377
8 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의드립니다. [1] 361
7 플라즈마 설비에 대한 질문 107

Boards


XE Login