안녕하세요 교수님, 교수님의 답변으로 이해도가 점점 깊어지고 있어 진심으로 감사 말씀드립니다.
오늘은 아래 세가지 질문 있습니다, 바쁘신 와중에 다시 한번 감사 말씀드립니다.

 

1. 설비에서 RF POWER를 SET 할 수 있는데, 상수로 SET이 가능합니다. 이 때 이 상수 값은 유효전력, 순시전력 중 어떤 값인가요?

 

2. 위의 SET 값은 다음과 같은 두 값의 합 이기도 한데요( SET POWER = FORWARD POWER + REFFLECT POWER) 

제일 궁금한 것은, 만일 SET 값이 유효전력이라면(3상 전력의 진폭 값)면 이해가 안가는 부분이 있는데요,

예를들어 SET POWER = 100W, FORWRAD POWER = 100W 라고 가정 할 경우, MATCHING 이후엔 GENERATOR 의 저항은 50 옴, CHAMBER의 저항도 50옴을 갖게 될텐데, 어떻게 100W 가 CH에  그대로 전달 되는 것인지 모르겠습니다. GENERATOR의 저항도 소비할테니까요.
100W라는게 3상 전력에서 COS 세타값을 1로 본 것인데, 이상적인 MATCHING 이후에도 세타는 0이므로 COS 1이지만, GEN의 저항과 ,CH 의 저항 각각이 유효전력을 나눠서 소비하는거 아닌가요? 그렇다면 100W보다는 작은 값이어야하는게 맞지 않나 생각되어서요.

-> 결과적으로 SET값이 제너레이터의 저항을 무시하고 인가되는 것을 보이는데 어떤부분을 이해 못하고 잇는것인지 여쭙습니다.

 

 3. 마지막으로 반사파와 무효전력의 관계입니다. CHAMBER에 최대 전력이 전달되지 않는 이유는 'CH의 CAP, INDUCTOR 성분 때문에 발생한 위상차' 때문으로 알고 있습니다. 그리고 반사파가 생기는 이유는 IMPEDANCE MISS MATCH 때문인 것으로 알고 있는데요,
그렇다면 CAP과 INDUCTOR에 소모되는 무효전력과 반사파는 관계가 있다고 보입니다. 

그래서 제 생각은  반사파 = 전달되지 못한 유효전력 = 인가하는 전력(SET값) -  V* I * COS 

                        무효전력 = CAP, INDUCOR에 소비되는 전력 = V*I* SIN

      -> 결과적으로 수식으론 관계가 없으나, 무효전력이 생김으로써 반사파 역시 일어날 수 밖에 없는것이라 이해하면 되는지요?

 

 

진심으로 감사드립니다, 교수님의 답변으로 업무에 많은 도움이 되고 있습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [309] 78473
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21040
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57867
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69400
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93945
28 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다. [VI Phase] [1] 979
27 연면거리에 대해 궁금합니다. [아크 제어] [1] 921
26 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [RF plasma와 circuit model] [1] 902
25 RF 파워서플라이 매칭 문제 896
24 경전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 848
23 analog tuner관련해서 질문드립니다. [박막 플라즈마 및 tunning 원리] [1] 795
22 PECVD설비 Matcher 아킹 질문 [RF 전원과 matcher] [2] 744
21 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [Plasma heating] [1] 716
20 RPC ClEAN시 THD 발생 [RF shield와 ground의 강화] [1] 700
19 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [플라즈마 밀도 및 전위 제어] [1] 638
18 Interlock 화면.mag overtemp의 의미 635
17 플라즈마 전원 공급장치에 대한 질문 [전자 가열 방법 및 생산성에 따른 구별] [1] 632
16 Chamber impedance 범위에 대해 질문드립니다. 597
15 Bias인가 Cable 위치 관련 문의 [플라즈마 분포 관찰] [1] 585
14 CCP 설비 Capacitance 및 Impedance 변화에 따른 Vpp 변동성 문의 [플라즈마 회로 설계] [2] 544
13 CURRENT PATH로 인한 아킹 [RF 접지 면접촉 개선] [1] file 463
12 PECVD 고온 공정에서 증착 막으로의 열전달 관련 문의 드립니다. [플라즈마 분포와 확산] [1] 438
» 반사파와 유,무효전력 관련 질문 [플라즈마 생성과 가열] [2] 430
10 chamber에 인가되는 forward power 관련 문의 [송전선로 모델 및 전원의 특성] [1] 414
9 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator] [2] file 251

Boards


XE Login