최근 온실 GAS 문제로 인하여 Etch공정 gas를 변경하고 있는 개발을 추진하고있다고 어느 강연에서 교육을 받았습니다.

 

제가 궁금한 점은 변경되는 Etch공정 gas 로인하여 Pump 내부의 부식에 대한 부분입니다. (Pump 는 대부분 주철로 구성됨)

 

혹시 부식성Gas에 대한 부식rate가 따로 존재하는지 궁금합니다.

 

Gas마다 부식의 정도 값 으로 정의 된것이 있을까요?

 

예로) CHF3 에서 C6F12O 로 대채 한다고 하는데 부식의 정도가 어느정도 바뀌는지가 궁금합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [295] 77448
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20551
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57477
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69005
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93068
» GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 274
166 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 638
165 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 438
164 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 206
163 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 259
162 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 699
161 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1624
160 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 324
159 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 397
158 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 443
157 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 661
156 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1166
155 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 389
154 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 641
153 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 29017
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 767
151 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2367
150 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 1051
149 RF Sputtering Target Issue [2] file 652
148 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 2006

Boards


XE Login