Etch doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]

2022.02.22 19:14

우화리 조회 수:2247

안녕하세요.

 

반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.

 

 

다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.

 

 

Gas는 Cl2 N2 base로

 

Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는 

SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데

 

Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는 

Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.

 

혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?

 

P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서 

그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?

 

Bonding energy나

Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서

결론을 못내리고 있습니다.

 

 

추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?

 

 

감사합니다.

 

이주현 드림. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [312] 79201
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21245
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58052
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69608
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94394
153 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [Etching] [1] 29203
152 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 809
151 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2394
150 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1138
149 RF Sputtering Target Issue [Sputtering] [2] file 727
148 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2152
147 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time [TVP(Thorottle Valve Position)] [1] file 690
146 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 818
145 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 610
144 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [Self bias와 RIE] [1] 655
143 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1254
142 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1181
141 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1005
» doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2247
139 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4266
138 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2433
137 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1280
136 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4064
135 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1299
134 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 1597
쓰기
태그

Boards

XE Login