Etch Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계.
2020.08.05 14:15
안녕하세요.
저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.
궁금한게 있어 문의 드립니다.
열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.
예를 들어 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고
Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면 열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.
(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)
그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?
혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.
제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.
감사합니다.
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76857 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20262 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57194 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68747 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92611 |
183 | 플라즈마 식각 커스핑 식각량 | 22 |
182 | 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] | 68 |
181 | Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] | 71 |
180 | sputtering 을 이용한 film depostion [1] | 138 |
179 | FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 | 183 |
178 | 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] | 187 |
177 | 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] | 203 |
176 | AP plasma 공정 관련 문의 [1] | 204 |
175 | Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] | 218 |
174 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 235 |
173 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 252 |
172 | Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] | 256 |
171 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 266 |
170 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 276 |
169 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 294 |
168 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 322 |
167 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 360 |
166 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 368 |
165 | 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] | 393 |
164 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 404 |