Etch Plasma 식각 test 관련 문의
2021.12.13 16:57
안녕하세요.
플라즈마 식각 중량변화 테스트를 O2가스와 NF3,AR(3:1) 비중으로 60분동안 200W전력 조건으로
제품은 불소고무 O-RING 입니다.
할 수 있는곳이 있을까요??
도움 부탁드리겠습니다..
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76866 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20271 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57198 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68750 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92691 |
143 | 교육 기관 문의 | 17783 |
142 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17533 |
141 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17195 |
140 | 플라즈마 처리 | 16936 |
139 | ICP 식각에 대하여... | 16925 |
138 | sputter | 16850 |
137 | nodule의 형성원인 | 16764 |
136 | 몇가지 질문있습니다 | 16578 |
135 | Sputter | 15888 |
134 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15811 |
133 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15647 |
132 | 박막 형성 | 15301 |
131 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15054 |
130 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14736 |
129 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12526 |
128 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11473 |
127 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10317 |
126 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9531 |
125 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9265 |
124 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8618 |