Process 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다
2020.08.20 13:11
안녕하세요
접착력 증가를 위한 플라즈마 처리를 하고 있습니다.
문제는 불소계필러가 들어간 이미드 필름을 에폭시에 붙이려하는데 잘되지 않아서
표면처리 후 접착력을 증가시켜 보려고합니다.
현재 Ar+H2 로 하고있고 접착력이 증가하긴 하지만 탁월한효과는 못보고있습니다.
혼합가스를 바꾸어보라는 말도있고 소스를 바꿔보라는 말도있던데
혼합가스 종류나 다른 방법이있을까요 ?
궁금합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] | 76830 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20251 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57192 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68743 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92582 |
183 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43705 |
182 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34963 |
181 | PEALD관련 질문 [1] | 32623 |
180 | RF에 대하여... | 32031 |
179 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31677 |
178 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31563 |
177 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30036 |
176 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29751 |
175 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29270 |
174 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28932 |
173 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24888 |
172 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24665 |
171 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24182 |
170 | Arcing | 23832 |
169 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23766 |
168 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22772 |
167 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22548 |
166 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22144 |
165 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22094 |
164 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21946 |