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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68754
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104 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3343
103 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3170
102 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3060
101 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3013
100 Plasma etcher particle 원인 [1] 3008
99 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2915
98 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2886
97 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2813
96 PR wafer seasoning [1] 2706
95 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2668
94 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2591
93 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2503
92 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2362
91 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2352
90 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2344
89 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2342
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2330
87 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2298
86 etching에 관한 질문입니다. [1] 2274
85 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2080

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