|
공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[332]
| 103077 |
|
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 24696 |
|
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 61472 |
|
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 73499 |
|
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 105896 |
|
114 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
[1] | 4254 |
|
113 |
ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF]
[2] | 4221 |
|
112 |
DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering]
[2] | 4206 |
|
111 |
Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 3846 |
|
110 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
[1] | 3741 |
|
109 |
Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath]
[1] | 3625 |
|
108 |
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown]
[1] | 3549 |
|
107 |
Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전]
[3] | 3389 |
|
106 |
HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌]
[1] | 3230 |
|
105 |
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
| 3219 |
|
104 |
[RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma]
[1] | 3208 |
|
103 |
Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각]
[1] | 3166 |
|
102 |
RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power]
[1] | 3098 |
|
101 |
Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응]
[1] | 3025 |
|
100 |
PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
[1] | 2928 |
|
99 |
DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect]
[1] | 2912 |
|
98 |
플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy]
[1] | 2909 |
|
97 |
산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응]
[1] | 2814 |
|
96 |
Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution]
[1] | 2808 |
|
95 |
doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]
[1] | 2782 |
