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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[275]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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PECVD Precursor 별 Arcing 원인
[1] | 3318 |
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102 |
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다.
[1] | 3166 |
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Plasma 에칭 후 정전기 처리
[3] | 3057 |
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100 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1] | 2993 |
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Plasma etcher particle 원인
[1] | 2985 |
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98 |
HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의
[1] | 2904 |
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97 |
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 2778 |
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95 |
PR wafer seasoning
[1] | 2704 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 2648 |
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93 |
산소양이온의 금속 전극 충돌 현상
[1] | 2591 |
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92 |
[RIE] reactive, non-reactive ion의 역할
[1] | 2471 |
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91 |
Ta deposition시 DC Source Sputtreing
| 2362 |
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DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1] | 2342 |
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Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 2338 |
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88 |
플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다.
[1] | 2324 |
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sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지
[1] | 2318 |
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Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
[1] | 2279 |
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85 |
etching에 관한 질문입니다.
[1] | 2267 |
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84 |
doping type에 따른 ER 차이
[1] | 2064 |
