Etch [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스
2023.05.29 16:04
안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. 전에 작성했던 글에 댓글을 남기는방법을 찾지 못해 글로 남깁니다.
SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas) 의 에칭입니다.
결합에너지를 근거로 다음과같은 에칭이 일어난다고 생각했고, Si(CH3)2기는 단순히 플라즈마 공급 전에 있다고 가정했습니다.
원활한 F의 공급 및 에칭, 플라즈마의 유지를 위해 CF4/O2 외에도 Ar의 공급이 필수적이라고 생각하면 될까요?
또한 Ar+생성 외에도 Ar공급의 목적이 있는지 궁금합니다.(CF4와의 반응에 영향을 미치는지 등)
마지막으로 충분한 물리적 에칭을 위해 Ar사용, F의 농도를 높이기 위해 O2를 사용으로 이해한게 맞는지 여쭤봅니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] | 76739 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20207 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57168 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68703 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92294 |
182 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43698 |
181 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34956 |
180 | PEALD관련 질문 [1] | 32614 |
179 | RF에 대하여... | 32012 |
178 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31666 |
177 | DC Bias Vs Self bias [5] | 31540 |
176 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. | 30006 |
175 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29736 |
174 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29263 |
173 | OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] | 28728 |
172 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24875 |
171 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24648 |
170 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24174 |
169 | Arcing | 23806 |
168 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23760 |
167 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22765 |
166 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22541 |
165 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22121 |
164 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22091 |
163 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21945 |
지난 내 답변으로 충분하지 않은 가 봅니다.
저서를 추천합니다. 성균관대학교 염근영 교수님 저 "플라즈마 식각기술 "과 D.M. Manos and D.L.Flamm 저 "Plasma Etching - Introduction" 에서 기본적인 정보를 얻으실 수 있을 것입니다. 저 역시 이 책들로 부터 지식을 쌓고 있습니다.