안녕하세요

디스플레이 업계에서 OLED 및 Organic 담당 연구중인 직장인입니다.

물질 증착 전후로 Plasma를 활용한 표면 처리를 하게되는 경우가 있어, 몇가지 질문드립니다.

 

Ar/O2 Plasma

큰 에너지를 가진 무거운 이온이 대상의 표면에 충돌해 Sputtering 효과로 미세 마모를 일으켜 오염 물질 제거와 증발이 발생되고

plasma로 이온화된 산소들이 표면 물질과 반응해 세정 효과를 나타낸다

 

위와 같이 알고 있는데, Ar/O2 Plasma를 유기물이나 무기물 혼합물에 적용시킬 경우에

현재는 물질에 Plasma 공정을 적용시킨 Device를 만들어 전기적 특성으로 확인하고 있는데,

Plasma로 인해 물질의 기존 특성이 파괴되는건지, 표면만 세정되어 개질이 일어나 특성이 바뀌는지

원리 분석이 필요해보여 이를 어떤 방법으로 알아봐야하는지 알려주시면 감사하겠습니다. 

 

그리고, O2 Ashing 처리도 표면개질을 위해 진행하는 경우가 있는데,

O2 Ashing과 Ar/O2 Plasma는 장비에 따라 VUV(Vacuum-UV) 발생으로 Organic bonds(유기 결합) 분해를 일으킨다

이외에 어떤 차이가 있나요?

 

마지막으로 Plasma와는 별개인데,

UV-O3 treatment 방식으로 표면개질을 진행할 경우에는 물리적 충돌을 제외한 UV로 인해

발생된 O3로 유기 결합 분해만 일어난다고 이해하면 될까요?

 

부족한 지식으로 질문이 다소 난해해 죄송합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76819
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20247
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57190
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68739
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92578
183 플라즈마내에서의 아킹 43705
182 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] 34963
181 PEALD관련 질문 [1] 32622
180 RF에 대하여... 32028
179 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31677
178 DC Bias Vs Self bias [5] 31560
177 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 30033
176 PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 29750
175 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29270
174 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28764
173 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24886
172 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24663
171 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24181
170 Arcing 23831
169 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23765
168 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22770
167 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22546
166 질문있습니다 교수님 [1] 22144
165 플라즈마 코팅에 관하여 22094
164 펄스바이어스 스퍼터링 답변 21946

Boards


XE Login