안녕하세요

DC 스퍼터를 관리하는 대학원생입니다.

현재 스퍼터를 사용하는 중 계속 sample condition이 변화합니다. 같은 조건으로 공정을 해도 할 때마다 실험결과가 크게 차이가 납니다.

그러다 보니 공정을 해도 원하는 값을 얻기가 매우 어렵습니다.

그래서 변화요소에 대해 몇가지 물어보고 싶습니다.

 

1. 쓰로틀 밸브의 포지션 (open %)가 중요할까요?

쓰로틀 밸브는 제가 원하는 working pressure에 맞춰 자동으로 압력을 조절해주는 것으로 알고 있습니다.

그러다보니 챔버내 진공압력이 매번 다른 만큼 공정 할때마다 값이 변화합니다.

저의 앞 선배님은 매번 일정한 position을 맞추어야 한다고 하셔서, 일정한 값을 맞추기 위해 Ar flow rate 및 working pressure를 계속 왔다갔다 하여 position을 제가 원하는 position (%)가 될 때까지 조절을 해야합니다.

예를 들어 제가 공정하고 싶은 Ar flow rate 및 working pressure가 12sccm, 5mT 이고 이때 쓰로틀 밸브의 포지션이 40%정도 입니다.

그런데 실제 했을때 32%정도라서 이를 맞추기 위해 20sccm, 3mT등으로 Ar flow rate 및 working pressure 값을 왔다갔다하며 12sccm, 5mT에 쓰로틀 밸브가 열리는 정도를 40%가 되도록 맞춘 후 공정을 진행합니다.

이 과정에서 시간이 제법 소요되고, 챔버내에서 sample이 영향을 받지 않을까 싶습니다.

그래서 쓰로틀 밸브의 포지션 (open %)이 중요한지 알고 싶습니다.

 

2. Base pressure가 공정에 영향을 미칠까요?

물론 저진공으로 잡는 게 아니라 고진공(9X10^-6이하)으로 잡고 난 후 입니다. 

저희 장비는 Base pressure를 고정시켜주지 못해, 저희가 시간을 보고 맞춰서 Base pressure 가 충분히 떨어질때까지 기다렸다 공정을 합니다. 그러다 보니 Base pressure가 매 공정마다 바뀝니다. 이 또한 공정에 영향을 주는 것일까요?

 

3. Calibration을 제로 세팅하는 것이 중요할까요?

매번 Base pressure를 다르게 잡다보니 매번 Zero calibration을 통해 챔버내 압력을 영점조절하여 이를 수정해줍니다. 그런데 이러다 보니 매번 쓰로틀 밸브의 포지션 (%)이 달라지는 것 같습니다. 

선배는 챔버내 Base pressure가 다르니 이를 Zero Calibration으로 맞춰져야 한다고 하는데, 매번 챔버내 압력에 맞춰 영점조절하는 것이 더 이상하지 않을까요?

 

4. 만약 Zero Calibration을 해야 한다면 Base pressure를 최대한 고진공으로 해서 거기에 맞춰 영점조절하는 것이 좋을까요? 

일반적인 경우는 어떤지 알고 싶습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [282] 77206
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20464
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57360
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68900
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92945
184 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] 82
183 플라즈마 식각 커스핑 식각량 60
182 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 169
» Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 86
180 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 231
179 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 87
178 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 291
177 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 205
176 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 218
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 251
174 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 281
173 PECVD Uniformity [1] 590
172 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 430
171 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 850
170 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 344
169 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 312
168 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 675
167 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 264
166 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 606
165 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 418

Boards


XE Login