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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71780
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174 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [박막 문제] [1] 456
173 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 1027
172 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 557
171 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1258
170 RIE Gas 질문 하나 드려도 될까요? [Sheath instability] [1] 535
169 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [RF matcher noise] [1] 515
168 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 954
167 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 858
166 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 3940
165 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [Materials processing] [1] 561
164 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마] [1] file 312
163 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 389
162 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 898
161 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 2501
160 메틸기의 플라즈마 에칭반응 메커니즘 [공정 플라즈마] [1] 577
159 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메커니즘에 대해 질문하고 싶습니다. [플라즈마-화학-표면 반응 모델] [1] 549
158 PEALD장비에 관해서 질문드리고 싶습니다. [장비 세정 및 관리 규칙] [1] 701
157 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 978
156 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1606
155 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [Plasma Cleaning] [1] 545

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