Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:5452

안녕하십니까?


DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.


공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.


확인부탁드립니다.


감사합니다. 수고십시오.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92262
102 터보펌프 에러관련 [1] 1755
101 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1385
100 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2581
99 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1292
98 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 471
97 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1659
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2311
95 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1182
94 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 842
93 etching에 관한 질문입니다. [1] 2257
» DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5452
91 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1422
90 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2303
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2322
88 플라즈마 색 관찰 [1] 4253
87 PR wafer seasoning [1] 2701
86 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1792
85 ICP 후 변색 질문 724
84 Plasma etcher particle 원인 [1] 2962
83 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423

Boards


XE Login