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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응]
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etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]
[1] | 2655 |
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DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]
[1] | 5882 |
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Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘]
[1] | 1733 |
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플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy]
[1] | 2821 |
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Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지]
[1] | 2686 |
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플라즈마 색 관찰 [플라즈마 빛과 OES신호]
[1] | 4903 |
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PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
[1] | 2897 |
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wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias]
[1] | 2222 |
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ICP 후 변색 질문
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Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath]
[1] | 3499 |
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PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [Pd condition과 PDP]
[1] | 658 |
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플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [Plasma torch와 cyanide]
[2] | 907 |
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport]
[1]  | 6818 |
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sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux]
[1] | 2656 |
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안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
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ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution]
[3] | 12982 |
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RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization]
[1] | 2206 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power]
[1] | 3043 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
[1] | 4142 |
