안녕하세요. 교수님

제가 현재 PECVD-CCP장비의 공정 Test를 하던 중

VHF(27M) Power를 점점 늘려감에 따라 Deposition Rate가 감소하는 경향을 보여 문의드립니다.

원인을 찾던 중. 발견한 논문에 따르면 어느정도 증가하다가 2차포물선 그래프를 띄며 Deposition이 감소하는데

이는 초기 증가분은 라디칼을 많이 생성해서 D/R을 상승시키지만 어느정도 증가하게 되면 Ion Bombardment가 커져서 그런 현상이 생긴다고 작성되어 있는데, 이해가 잘 안되서요.

제가 알고 있는 짧은 지식으로는 Power가 커지면 Density가 늘어나면서 Sheath영역이 작아지게 되는것 같은데 아닌가요??

 

Generally, the ion bombardment energy increases witIr"an increase in rf power because the sheath electric field increases as the
square root of the rfpower density.

라고 써있는데, 영문으로 작성된 이 내용이 정말 일반적인 내용인지..제가 이해를 잘 못한건지 궁금합니다.

또한 cathode와 wall 사이에 reactant gases가 고갈된다고 하는데. 너무 논문에서 당연한듯 이야기 해서 이유가 궁금합니다. 

In addition the depletion of reactant gases by the plasma between cathode and reactor wall is also regarded as a factor for the low deposition rate observed at high rf power.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76912
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20299
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57218
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68770
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92746
84 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2076
83 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2027
82 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2026
81 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1989
80 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1911
79 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1887
78 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1813
77 터보펌프 에러관련 [1] 1773
76 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1755
75 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1678
74 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 1528
73 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1459
72 Ar plasma power/time [1] 1447
71 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 1442
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1427
69 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 1420
68 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1392
67 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1391
66 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1304
65 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1255

Boards


XE Login