Others O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154

2017.04.26 14:11

푸르뎅뎅 조회 수:6529

안녕하세요. 반도체 회사에 근무 중인 김동조입니다.

소자제작 공정중 O2 플라즈마를 이용하여 표면을 처리하는 부분이 있습니다.

공정 조건은 300w, 300sccm 0.04mbar 이며 친수성을 위한 표면 처리를 하고 있습니다.

제가 궁금한 사항은 일반 상온에서의 표면의 플라즈마 효과가 어느정도 지속이 되는 것인가와,

플라즈마 처리를 한 상태에서 오븐에서 120도 12시간 열처리를 하였을 경우 플라즈마의 효과가 유효한 것인지 궁금합니다.

플라즈마에 관한건 이론적으로만 간단히 알고있었을뿐 회사에 들어오고 처음 사용해 보는 것이라 감이 잘 잡히지 않습니다.

번거로우시겠지만 답변 부탁드립니다.!! 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78038
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20848
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93633
92 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2612
91 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2651
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2734
89 PR wafer seasoning [1] 2740
88 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2944
87 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2985
86 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 3029
85 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3111
84 Plasma etcher particle 원인 [1] 3120
83 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3161
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3236
81 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3492
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3682
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3764
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3909
77 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 4015
76 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4148
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4219
74 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4416
73 플라즈마 색 관찰 [1] 4455
쓰기
태그

Boards

XE Login