Deposition RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다.
2017.08.14 17:40
안녕하세요, 저는 반도체 장비 회사에서 PECVD 설비를 개발하고 있는 이장혁이라고 합니다.
최근 개발하고 있는 설비의 CONTACT FILL 능력이 문제가 되고 있는데요, 일단 DEPO RATE 관점에서 원인을 찾으려고 하고 있습니다.
PECVD 공정의 D/R 에 영향을 주는 인자는 여러가지가 있겠지만 여기서 여쭤보고 싶은 건 FREQUENCY 인데요....
다른 조건이 고정되어 있을 때 FREQUENCY 가 높아지면 D/R 이 빨라지나요? 참고로 말씀드리면 DEPO 하는 막질은 TI 이고 PRECURSOR 로는 TICL4 를 사용합니다.
CCP 형의 플라즈마 원에서 주파수가 커지면 heating 효율이 증가하여 플라즈마 밀도와 가열 전자가 많아 지게 됩니다. 따라서 해리와 이온화 모두 증가하므로 공정이 빨라질 수가 있겠습니다. (정량적으로 그 크기 변화는 미약하지만 결과는 많이 차이가 나게 됩니다). 하지만 가열 전자가 많은 것은 박막 성질에 그리 좋지가 았을 수도 있겠고 과다한 해리도 막질에 영향을 미칠 수가 있겠습니다. 따라서 이 경우 오히려 제어 범위가 줄어들 확률이 높아질 수도 있겠습니다.