Etch Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리]

2021.12.13 16:57

벅바 조회 수:4116

안녕하세요.

 

플라즈마 식각 중량변화 테스트를 O2가스와 NF3,AR(3:1) 비중으로 60분동안 200W전력 조건으로 

 

제품은 불소고무 O-RING 입니다.

 

할 수 있는곳이 있을까요?? 

 

도움 부탁드리겠습니다..

 

, , , , 이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [316] 82294
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21901
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58690
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 70315
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 96097
93 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2686
92 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2799
91 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2814
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2841
89 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3018
88 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3073
87 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3189
86 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3257
85 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3279
84 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3338
83 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3375
82 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 3671
81 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 3815
80 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 3886
79 DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering] [2] 3989
» Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4116
77 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4308
76 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4324
75 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 4341
74 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4539
쓰기
태그

Boards

XE Login