Others wafer 전하 소거: 경험 있습니다.

2004.06.25 16:44

관리자 조회 수:20603 추천:319

te8500에서 금속재질의 four-pin으로 dechucking을 시키는 경우도 있구요...이것은 쉽구요...back면 acring만 제어해주면 됩니다.

  저도 부도체 재질의 four-pin사용시 gas만으로 dechucking이 가능한지 궁금했습니다.
  dechucking을 위해서 plasma을 생성시 원하지 않는 etch가 되기때문에 risk가 있습니다.

  저희 교수님께 문의한 결과 고압에서 gas flow만으로도 충분히 wafer의 전하를 chamber wall 로 전달할수 있다고 하시던데요...

이 게시물을
수정 삭제 목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102966
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24689
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61448
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73484
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105859
74 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘] [1] 1759
73 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering] [1] 1646
72 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속] [4] 1602
71 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1587
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1582
69 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석] [1] 1574
68 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리] [1] 1549
67 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속] [1] 1527
66 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1498
65 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [Chucking/dechucking 파티클 제어] [1] 1461
64 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1441
63 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1441
62 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1439
61 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1433
60 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다. [플라즈마 식각기술, Plasma Etching] [3] 1360
59 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1339
58 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [CCP 방전 원리] [1] file 1335
57 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1299
56 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [세정 공정 개발] [1] 1261
55 PECVD Uniformity [플라즈마 균일도 제어] [1] 1233
쓰기
태그

Boards

XE Login