안녕하십니까?

Sputter Process 에 대해 담당중인 1인 입니다.

몇가지 문의점이 있어 문의 드립니다.

1. Sputter 시에 Gas Reaction 의 반응은 어떻게 일어나는 것인지 궁금합니다.

   저희는 주로 O2, N2, CH4, NO 등등의 반응성 Gas 를 사용하여 막질의 변형을 이루고자 하고 있습니다.

   이러한 Gas 들의 반응에 대하여 알 수 있는 방법이 없을까요?

   반응들이 일어나는 Mechanism 을 알 수 있다면 막질에 대해 좀 더 정확한 평가가 가능하지 않을까요?

2. 현재 Glass 기판에 Sputter 증착을 한 후 SEM 으로 관찰을 진행하고 있습니다.

   그런데, 박막 표면에서의 Charging 현상이 덜 하여 관찰이 가능한 샘플이 있는 반면,

   일부는 Charging 현상이 심하여 SEM 으로는 관찰이 어렵습니다.(Gas 종은 위의 Gas 들을 사용하고 있습니다.)

   기판 표면을 SEM 으로 관찰하고자 할 때, 이러한 Charging 현상을 감소 시킬 수 있는 방안은 어떤 것들이 있을까요?

   어떤 Parameter 들의 영향인지 궁금합니다.

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77933
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20790
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57704
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69208
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93565
71 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 653
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1457
69 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5569
68 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6168
67 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4133
66 Ar plasma power/time [1] 1479
65 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17750
64 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11708
63 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3106
62 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4408
61 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3901
60 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3228
59 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2978
58 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8099
57 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6529
56 고온 플라즈마 관련 8095
55 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6584
54 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7731
53 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10370
52 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15841

Boards


XE Login