Others Plasma 에칭 후 정전기 처리

2016.03.09 10:42

신나는ye 조회 수:3052

안녕하세요.
제가 플라즈마를 이용한 에칭 장비를 담당 하고 있습니다.
ICP 타입의 장비이며, 1Pa 조건에서 N2와 O2를 이용, RF Power 가하여
공정을 진행하고 있습니다.

남아있는 전하에 의해서 정전기가 생기는것 같아
이것을 없애고 싶습니다.

지금 제가 생각하고 있는 방법은
에칭이 끝난 후에
Ar gas를 이용하여 RF Power 를 약하게 해서
후처리 형식으로 ,대전되있는 Glass를 제전시키고자 합니다.

자문을 구할때도 없고, 구글만 내내 검색하고 있던차에
플라즈마 응용연구실을 접하게되었습니다.
저보다 학식도 높고 플라즈마 분야에서는 전문가이실것 같아
이렇게 여쭤보게되었습니다.
도움부탁드립니다.


1. Plasma Etching 공정 후 남아있는 전하량 측정관련 참고문헌 소개.

2. 남아있는 전하량을 진공 (1Pa이하)에서 제거할수있는 방법 이 있는지.

3. Ar gas에 RF Power를 얼마나 가해야 플라즈마 상태로 바뀌는지.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76736
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20206
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57168
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68702
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
62 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4273
61 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3807
60 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
59 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2892
58 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8034
57 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6492
56 고온 플라즈마 관련 8090
55 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
54 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7704
53 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10300
52 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15803
51 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29263
50 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31666
49 Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. 20204
48 H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. [2] 19416
47 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 30006
46 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. 17191
45 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] 34956
44 UBM 스퍼터링 장비로... [1] 20906
43 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23760

Boards


XE Login