Others Plasma 에칭 후 정전기 처리

2016.03.09 10:42

신나는ye 조회 수:3097

안녕하세요.
제가 플라즈마를 이용한 에칭 장비를 담당 하고 있습니다.
ICP 타입의 장비이며, 1Pa 조건에서 N2와 O2를 이용, RF Power 가하여
공정을 진행하고 있습니다.

남아있는 전하에 의해서 정전기가 생기는것 같아
이것을 없애고 싶습니다.

지금 제가 생각하고 있는 방법은
에칭이 끝난 후에
Ar gas를 이용하여 RF Power 를 약하게 해서
후처리 형식으로 ,대전되있는 Glass를 제전시키고자 합니다.

자문을 구할때도 없고, 구글만 내내 검색하고 있던차에
플라즈마 응용연구실을 접하게되었습니다.
저보다 학식도 높고 플라즈마 분야에서는 전문가이실것 같아
이렇게 여쭤보게되었습니다.
도움부탁드립니다.


1. Plasma Etching 공정 후 남아있는 전하량 측정관련 참고문헌 소개.

2. 남아있는 전하량을 진공 (1Pa이하)에서 제거할수있는 방법 이 있는지.

3. Ar gas에 RF Power를 얼마나 가해야 플라즈마 상태로 바뀌는지.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [299] 77537
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20616
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57560
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69055
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93219
70 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1457
69 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5545
68 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6158
67 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4100
66 Ar plasma power/time [1] 1468
65 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17723
64 N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] 11678
» Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3097
62 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4382
61 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3891
60 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3220
59 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2967
58 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8090
57 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6514
56 고온 플라즈마 관련 8092
55 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6578
54 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7721
53 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] 10354
52 Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] 15835
51 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 31202

Boards


XE Login