안녕하세요.

 

반도체 회사에서 일 하고 있는 연구원이지만, 플라즈마에 관한 지식이 부족하여 이렇게 질문드립니다.

 

Plasma etch rate에 관하여 궁금한 것이 있어 이렇게 글을 남기게 되었습니다.

 

CCP 방식으로 etch를 진행하는 챔버를 PM 후 공정결과가 E/R이 증가되는 경향이 보였습니다.

 

로그를 분석 해본 결과, PM 전후로 달라진 점은 shunt 값이 감소한 것 밖에는 없습니다.

 

RF V,I 도 변화하였지만, 그 값들은 shunt가 변함에 따라 변한 것으로 생각하였습니다.

 

제가 궁금한 점은

 

1. PM만 진행하였을 때 shunt 값이 변할 수 있나요?

 

2. 감소한 shunt 값으로 인하여 E/R이 증가할 수 있나요?

 

3. Shint 값이 변화한 것은 챔버 내부의 저항이 변화되었을 가능성이 가장 큰 것일까요?

 

이상입니다. 감사합니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [218] 75407
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19148
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56477
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67535
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 89320
52 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1053
51 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1037
50 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 981
49 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 977
48 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 975
47 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 965
46 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 923
45 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 905
44 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 904
43 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 888
42 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 834
41 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 774
40 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 773
39 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 747
38 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 709
37 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 696
36 ICP 후 변색 질문 668
35 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 645
» 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 634
33 O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. 623

Boards


XE Login