|
공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[337]
| 111541 |
|
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 27849 |
|
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 65126 |
|
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 76961 |
|
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 111214 |
|
74 |
플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 5166 |
|
73 |
Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마]
[1] | 5309 |
|
72 |
DRAM과 NAND 에칭 공정의 차이 ["플라즈마 식각 기술"]
[1] | 6075 |
|
71 |
SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [반응성 기체 생성]
[1] | 6442 |
|
70 |
모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
| 6659 |
|
69 |
안녕하세요, 질문드립니다. [플라즈마 토치와 환경처리]
[2] | 6839 |
|
68 |
플라즈마 데미지에 관하여.. [Charge의 축적과 damage]
[1] | 6855 |
|
67 |
O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154
[1] | 7068 |
|
66 |
RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [물리적/화학적 세정]
[4] | 7221 |
|
65 |
SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [ER과 energy transport]
[1]  | 7251 |
|
64 |
플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [RRC 연구센터 문의]
[1] | 8024 |
|
63 |
고온 플라즈마 관련
| 8211 |
|
62 |
플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [플라즈마 밀도와 중성 가스의 균일도]
[1] | 8440 |
|
61 |
안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [Bias power]
[1] | 8671 |
|
60 |
Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [Depo radical 형성 및 sputtering]
[1] | 9155 |
|
59 |
공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용
| 9394 |
|
58 |
에칭후 particle에서 발생하는 현상
| 9946 |
|
57 |
미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [플라즈마트 및 휘팅커 회사]
[1] | 10878 |
|
56 |
N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [쉬스 전위 및 플라즈마 세정]
[1] | 12630 |
|
55 |
ICP와 CCP의 차이 [Self bias와 Maxwellian distribution]
[3] | 13343 |
