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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력]
[1] | 1967 |
113 |
PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착]
[1] | 1976 |
112 |
Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어]
[1] | 1978 |
111 |
CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information]
[1] | 2146 |
110 |
RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization]
[1] | 2148 |
109 |
wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias]
[1] | 2154 |
108 |
플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE]
[1] | 2314 |
107 |
식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지]
[1] | 2355 |
106 |
압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time]
[1] | 2439 |
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Ta deposition시 DC Source Sputtreing
| 2451 |
104 |
PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD]
[1] | 2452 |
103 |
Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응]
[1] | 2499 |
102 |
etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정]
[1] | 2579 |
101 |
Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지]
[1] | 2610 |
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sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux]
[1] | 2611 |
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doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]
[1] | 2625 |
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Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution]
[1] | 2686 |
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플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy]
[1] | 2739 |
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산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응]
[1] | 2744 |
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DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect]
[1] | 2756 |