안녕하세요?

 

플라즈마 관련 업체 현업에 종사하고 있습니다.

 

플라즈마 에쳐장비에서 궁금한점이 몇가지 있어 이렇게 문의 드립니다.

 

1.에칭하려는 물질에 따라서 달라지겠지만, 현재 에쳐장비의 흐름이 CCP에서 ICP로 옮겨가며, 하이브리드로 사용할려고 하는듯 합니다. 이는 이온의 물리적 에칭보다는 라디칼의 화학적 에칭에 더 중점을 두고 변화하는것이 아닌지요?

(물론 기본적으로 이온의 물리적 에칭이 중요하겠지만, 예를 들면 이온의 물리적 에칭으로 웨이퍼의 구조적 손상문제를 야기하는등 CCP의 한계가 있다고 판단되어서요....전자밀도와 라디칼 분포가 큰 ICP를 선호하는게 아닌가 해서요....)

 

2. 셀프자기바이어스가 커짐에 따라서, 이온의 식각률이 증가한다고 알고 있습니다. 기본적인 질문이지만, 주파수와 셀프자기바이스간의 관계가 궁금합니다. 수학적으로 판단하기에는 주파수가 커짐에 셀프자기바이어스가 작아진다고 알고있습니다.

 

3. 전자온도분포함수와 이온에너지분포함수간의 상호 연관성이 있는지요?

(제가 생각하기에는 전자온도가 이온에너지보다 대략 5배정도 크니 단순하게 생각해서...전자에너지분포함수와 이온에너지분포함수간에는 비례관계가 있을듯 합니다.)

 

답변부탁드립니다.

 

감사드립니다.

축복이 가득하길 바라겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102866
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24688
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61418
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73479
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105832
94 Ashing 공정에 필요한 O2plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [전자 충돌 이온화 반응 해리 반응 흡착 반응] [1] 3010
93 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3096
92 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3154
91 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3204
90 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3215
89 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌] [1] 3229
88 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전] [3] 3388
87 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown] [1] 3547
86 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3592
85 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3733
84 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3839
83 DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering] [2] 4202
82 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF] [2] 4216
81 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 4243
80 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간] [1] 4256
79 Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마] [1] 4343
78 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4380
77 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율] [1] 4557
76 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue] [1] 4787
75 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4904

Boards


XE Login