Sputtering 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다.

2019.03.04 10:48

대구한밭 조회 수:1386

안녕하세요.

PECVD로 탄소 박막을 합성하고, 표면을 Oxide 시키기 위해 plasma asher로 200W/30 min 동안

처리하였는데 반응이 없어 다른 방법을 모색중입니다.

그래서 스퍼터로 가능할까 싶어서 궁금증을 여기에 풀어 봅니다.

보통 O2/N2는 반응성 스퍼터링에 사용되는 것으로 알고 있습니다.

혹시나, (1) Ar 대신 O2 or N2만 주입해도 플라즈마가 형성이 가능한가요?

그리고 (2) 타겟없이도 플라즈마가 뜨는가요?

이 두 부분이 궁금합니다.

생뚱맞는 질문일수도 있지만,

답변 부탁드립니다.

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [269] 76731
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20201
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68701
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92280
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
81 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3278
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3529
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3646
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3807
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3909
76 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4149
74 플라즈마 색 관찰 [1] 4258
73 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4271
72 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5270
71 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5455
70 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5847
69 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6070
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6250
67 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6411
66 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6492
65 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
64 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6577
63 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7704
쓰기
태그

Boards

XE Login