안녕하십니까, 반도체 공정을 공부하고있는 취업준비생입니다.

장비 실습 경험 중 Dielectric Etcher (CCP)장비에서 총 3개의 서로 다른 주파수(60MHz, 27MHz, 2MHz)의 Power Generator를 사용하는 것을 보았습니다.

제가 공부한 바로는

고주파(60MHz, 27MHz, 13.56MHz) : Plasma Density(Source Power)

저주파(2MHz) : Ion Energy(Bias Power)

으로 사용하는 것같은데

1) 사용하는 가스에 따라 (60MHz, 2MHz) 혹은 (27MHz, 2MHz)의 조합으로 2개를 선택하여 사용하는 것인가요? 아니면 하나의 공정에서 3개의 주파수를 다 사용하는 것일까요?

2) 이를 Dual Frequency CCP 라고 하나요?

3) 60MHz 제너레이터로는 27MHz 파워를 만들지 못해서 3개의 제너레이터를 사용하나요?(제너레이터에 적혀있는 주파수만 낼 수 있는 것인지)

모든 공정에서 이렇게 사용한다고 할 수는 없겠지만 일반적으로 어떻게 사용되는지 궁금합니다