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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 67981
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94 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2196
93 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2222
92 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2274
91 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2343
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2469
89 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2551
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87 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2706
86 Plasma etcher particle 원인 [1] 2736
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2751
84 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2775
83 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 2817
82 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2965
81 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3057
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3367
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3495
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3629
77 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3635
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75 플라즈마 색 관찰 [1] 3939

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