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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다.
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SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유
[1] | 5097 |
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DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5232 |
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안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다.
[1] | 5268 |
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RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이
[4] | 5843 |
67 |
모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의
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O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154
[1] | 6177 |
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플라즈마 데미지에 관하여..
[1] | 6383 |
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안녕하세요, 질문드립니다.
[2] | 6544 |
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플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다.
[1] | 7652 |
62 |
플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다.
[1] | 7867 |
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고온 플라즈마 관련
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Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화
[1] | 8361 |
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공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용
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에칭후 particle에서 발생하는 현상
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미국의 RF 관련 회사 문의드립니다.
[1] | 10156 |
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N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다.
[1] | 10528 |
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ICP와 CCP의 차이
[3] | 12040 |
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플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마
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산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성
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