Etch Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계.
2020.08.05 14:15
안녕하세요.
저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.
궁금한게 있어 문의 드립니다.
열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.
예를 들어 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고
Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면 열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.
(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)
그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?
혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.
제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73031 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17616 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55516 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65696 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86027 |
| 156 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 | 15 |
| 155 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 113 |
| 154 | 기판표면 번개모양 불량발생 [1] | 202 |
| 153 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 207 |
| 152 |
Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동
[1]  | 262 |
| 151 |
RF Sputtering Target Issue
[2] | 282 |
| 150 | Polymer Temp Etch [1] | 292 |
| 149 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 315 |
| 148 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 349 |
| 147 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 373 |
| 146 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 383 |
| 145 | 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] | 447 |
| 144 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 468 |
| 143 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 474 |
| 142 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 518 |
| 141 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 531 |
| 140 | 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] | 535 |
| 139 |
Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다.
[1] | 539 |
| 138 | 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] | 550 |
| 137 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 581 |
공정 교육에서 공부하셨듯이 입자와 재료의 간의 반응은 입사하는 입자속과 에너지 및 표면 온도에 민감합니다. 따라서 반응기 내벽의 온도( 특히 내벽 표면의 온도) 분포가 중요하겠습니다. 이를 판단하려면 생성되는 믈라즈마의 분포가 중요하겠고, 플라즈마가 전달하는 에너지 (전자의 경우, 전자 온도 와 이온의 경우 쉬스 에너지) 전달을 고려하는 것이 좋겠습니다. 이에 의해서 표면에서 byproduct의 반응이 결정될 수 있겠습니다. 따라서 장비의 열전달 문제는 플라즈마를 가두는 용기가 갖는 bulk 온도와 함께 플라즈마와 접촉하는 내벽의 온도를 함께 고려햐야, 공정을 제어하기가 용이할 것 같습니다.