Process OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다.
2022.12.07 14:13
안녕하세요.
Etching과 Deposition을 같이 최근에 공부를 시작하고 있는 회사원입니다.
다름이 아니라,
최근 기사에서 LCD->OLED로 넘어가는 과정에서 OLED 특성상(유기발광체 때문??) SF6를 NF3로 대체가 어렵다는
내용의 기사를 봤습니다.
질문은
1. OLED에서 SF6는 어느공정(Etching / Chamber Cleaning / ??)에 주로 사용되나요?
2. SF6를 NF3로 대체할 수 있는 이유는 뭔가요?
3. CF4도 사용되는 것으로 아는데, 어느공정에 주로 사용되나요?
고수님들의 답변 부탁드립니다.
가지고 계신 문헌과 특허라도 알려주시면 크게 감사드립니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [234] | 75748 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19432 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56660 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67986 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90210 |
174 | gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] | 67 |
173 | GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] | 127 |
172 |
화장품 원료의 플라즈마 처리 문의
[1] ![]() | 129 |
171 | PECVD Uniformity [1] | 156 |
170 | 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] | 160 |
169 | RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] | 178 |
168 | Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] | 180 |
167 | RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] | 194 |
166 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 | 229 |
165 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 231 |
164 | Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] | 254 |
163 | 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] | 276 |
162 | 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] | 277 |
161 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 280 |
160 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 306 |
159 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 354 |
158 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 374 |
157 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 391 |
156 | PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] | 404 |
155 | magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] | 436 |
먼저 성균대학교 염근영교수님의 역저, "플라즈마 식각기술"을 추천드립니다.