안녕하세요, 

먼저 연구개발에 좋은 창구를 열어주시고 관리해주셔서 항상 감사하게 생각하고 있습니다. 다시한번 감사드립니다.

 

제 질문은,

ICP 장비로 자성물질을 마이크로 단위로 두껍게 에칭하고 있습니다. 해당 장비는 공정 시간이 늘어남에따라 Cooling 시스템이 부족하여 중간 Idle time을 넣고 Cyclic하게 공정을 진행하고 있는데요.

 

여기서 궁금한게 중간마다 Idle time 을 넣고 idle time 시간을 늘리는게 Etching에 영향을 많이 줄까요?

Continuous 하게 Plasma가 켜질 경우에는 Physically sputtering + Chemical reaction 이 동시에 일어나면서 진행이 될텐데

반복적으로 Plasma가 꺼지고 Idle time이 있으면 반응 gas와 Chemically reaction 되어 표면에 Byproduct가 생기고 잔여되고 Cooling되면서 다시 이물질이 Etching mask역할을 해서 안좋아 질수도 있을 것 같아서요

 

해당관련해서 경험이 있으시면 답변 부탁드리겠습니다!

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76712
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20168
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68690
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92262
182 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 56
» 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 61
180 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 108
179 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 168
178 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 173
177 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [1] file 184
176 AP plasma 공정 관련 문의 [1] 196
175 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 205
174 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 213
173 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 227
172 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 231
171 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 249
170 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 272
169 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 290
168 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 314
167 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 354
166 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 364
165 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 386
164 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 394
163 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 397

Boards


XE Login