Process Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료]

2023.12.18 23:14

Kann 조회 수:569

디스플레이 업계 어레이 공정 개발을 담당하고 있습니다. 

골치 아픈 문제가 있어 이렇게 자문을 구해봅니다.

Bottom Gate로 Copper를 사용하고 있고, GI막을 SiNx+SiO2 이런 구조로 사용하고 있습니다.

현재 제품의 문제가 고객단에서 Gate-SD Short 문제인데요,

GI Particle 관점에서 말고, GI막내로 Gate Cu migration으로 인한 항복전압(Breakdown Voltage) 문제로 보고 있습니다.

제픔의 특성상 Gate를 디른 재료로 바꿀수는 없구요. 

Cu 확산이 이뤄진다라는 가정하에 이놈을 효과적으로 제어하는 방법이 있을까요.

의견 부탁드립니다.

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